| 公開(公告)號(hào) | CN1775209A |
| 公開(公告)日 | 2006.05.24 |
| 申請(qǐng)(專利)號(hào) | CN200410090817.9 |
| 申請(qǐng)日期 | 2004.11.15 |
| 專利名稱 | 一種磁性靶向緩釋型卡托普利及其制備方法 |
| 主分類號(hào) | A61K31/401(2006.01)I |
| 分類號(hào) | A61K31/401(2006.01)I;A61K31/555(2006.01)I;A61K9/00(2006.01)I;A61P9/12(2006.01)I;A61P9/04(2006.01)I |
| 分案原申請(qǐng)?zhí)? | |
| 優(yōu)先權(quán) | |
| 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 北京化工大學(xué) |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人 | 段 雪;張 慧;孫 輝 |
| 地址 | 100029北京市朝陽(yáng)區(qū)北三環(huán)東路15號(hào) |
| 頒證日 | |
| 國(guó)際申請(qǐng) | |
| 進(jìn)入國(guó)家日期 | |
| 專利代理機(jī)構(gòu) | 北京思海天達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 |
| 代理人 | 何俊玲 |
| 國(guó)省代碼 | 北京;11 |
| 主權(quán)項(xiàng) | 一種磁性靶向緩釋型卡托普利，其化學(xué)式為： (M2+)1-x(M3+)x(OH)2(Cpl-)a(Cpl2-)b(Bn-)c·mH2O/(MP)y 其中M2+是二價(jià)金屬離子Zn2+、Mg2+、Ni2+、Cu2+、Fe2+、Co2+、Ca2+、Mn2+中的任何一種；M3+是三價(jià)金屬離子Al3+、Fe3+、Cr3+、V3+、Co3+、Ga3+、Ti3+中的任何一種； Cpl-、Cpl2-分別代表層間一價(jià)、二價(jià)卡托普利陰離子； Bn-為荷電量為n的無(wú)機(jī)陰離子，Bn-可以不存在或?yàn)镃O32-、NO3-、Cl-、Br-、I-、OH-、H2PO4-中的任何一種； 0.1＜X＜0.8；a、b、c分別為Cpl-、Cpl2-、Bn-的數(shù)量，且a+2×b+n×c＝X；m為結(jié)晶水?dāng)?shù)量，0.01＜m＜4； MP代表磁性物質(zhì)MgFe2O4、NiFe2O4、CoFe2O4、ZnFe2O4、MnFe2O4或Fe3O4中的任何一種；y為MP的數(shù)量，0.001＜y＜1； 該磁性緩釋劑的比飽和磁化強(qiáng)度為1.0-6.0emu/g，粒度分布在20-200nm，磁性緩釋劑中卡托普利質(zhì)量百分含量為10-50％；緩釋持效期是0.4-13h。 |
| 摘要 | 本發(fā)明涉及一種磁性靶向緩釋型卡托普利及其制備方法。本發(fā)明以尖晶石型鐵氧體及四氧化三鐵為磁性物種，陰離子層狀材料LDHs為主體，卡托普利為插層客體，通過(guò)自組裝實(shí)現(xiàn)了Cpl-LDHs/MP的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)。該磁性卡托普利緩釋劑為殼核型結(jié)構(gòu)，即在磁性納米顆粒外包覆層狀材料Cpl-LDHs，比飽和磁化強(qiáng)度為1.0-6.0emu/g，其顆粒粒度分布在20-200nm。該磁性緩釋劑中卡托普利質(zhì)量百分含量為10-50％；緩釋持效期可達(dá)到0.4h-13h。 |
| 國(guó)際公布 |
