公開(公告)號
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CN1277819C
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公開(公告)日
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2006.10.04
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申請(專利)號
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CN03801808.X
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申請日期
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2003.02.17
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專利名稱
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氮雜環(huán)丁酮化合物的制備方法
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主分類號
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C07D205/08(2006.01)I
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分類號
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C07D205/08(2006.01)I;C07F7/18(2006.01)I;B01J27/125(2006.01)I;B01J27/135(2006.01)I;B01J31/12(2006.01)I;C07B61/00(2006.01)I
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分案原申請?zhí)? |
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優(yōu)先權(quán)
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2002.3.25 JP 82560/2002
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申請(專利權(quán))人
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高砂香料工業(yè)株式會社
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發(fā)明(設(shè)計)人
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松本崇司;村山俊幸;諸井隆
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地址
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日本東京都
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頒證日
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國際申請
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2003-02-17 PCT/JP2003/001615
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進(jìn)入國家日期
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2004.06.18
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專利代理機(jī)構(gòu)
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中原信達(dá)知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司
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代理人
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樊衛(wèi)民;楊 青
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國省代碼
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日本;JP
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主權(quán)項
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下式[1]表示的化合物的制備方法,式中,R1、R2、R3和X與下式中相同,其特征在于,使下式[2]表示的化合物與下式[3]表示的化合物在下面通式[4]表示的化合物及堿的存在下發(fā)生反應(yīng),式中R1表示氫原子或羥基保護(hù)基,L表示離去基團(tuán),式中,R2表示氫原子或碳數(shù)為1~4的低級烷基,R3表示碳數(shù)為1~12的烷基、碳數(shù)為2~5的鏈烯基、未取代的或者可以由選自碳數(shù)為1~4的低級烷基、碳數(shù)為1~4的低級烷氧基、硝基和鹵素原子的取代基取代的苯基、未取代的或者可以由選自碳數(shù)為1~4的低級烷基、碳數(shù)為1~4的低級烷氧基、硝基和鹵素原子的取代基取代的碳數(shù)為7~15的芳烷基、或者未取代的或者可以由選自碳數(shù)1~4的烷基的取代基取代的5~8員環(huán)的脂環(huán)基,X表示氧原子或硫原子,MYn(R4)m(4)式中,M表示金屬原子,選自IUPAC周期表第IVB、IVA、IIIA、IIIB、VIIIB和IIB族,Y表示鹵素原子,R4表示碳數(shù)為1~4的低級烷基、碳數(shù)為1~4的低級烷氧基、未取代的或者可以由選自碳數(shù)為1~4的低級烷基、碳數(shù)為1~4的低級烷氧基和鹵素原子的取代基取代的苯氧基、烷基磺酰二氧基、芳磺酰二氧基、烷基磺酰氧基、芳磺酰氧基、環(huán)戊二烯基、或者五甲基環(huán)戊二烯基,n和m為0~4的整數(shù),并且n+m為M的原子價。
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摘要
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本發(fā)明的目的是提供解決以往的問題,可以在溫和條件下、工序少且收率好、選擇性地得到所需的在1′-β-位具有甲基的碳青霉烯類抗菌劑的合成中間體的方法。本發(fā)明涉及具有1′-β構(gòu)型的氮雜環(huán)丁酮化合物的制備方法,其特征在于,在特定的金屬化合物和堿的存在下,進(jìn)行下式表示的反應(yīng)(式中,R1表示氫原子或羥基保護(hù)基,L表示離去基團(tuán),R2表示氫原子或低級烷基,R3表示烷基、芳烷基等,X表示氧原子或硫原子)。
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國際公布
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2003-10-02 WO2003/080571 日
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