| 公開(kāi)(公告)號(hào) | CN1901144A |
| 公開(kāi)(公告)日 | 2007.01.24 |
| 申請(qǐng)(專(zhuān)利)號(hào) | CN200610086059.2 |
| 申請(qǐng)日期 | 2006.07.21 |
| 專(zhuān)利名稱(chēng) | 一種制造重?fù)诫s氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的方法 |
| 主分類(lèi)號(hào) | H01L21/335(2006.01)I |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L21/335(2006.01)I |
| 分案原申請(qǐng)?zhí)? | |
| 優(yōu)先權(quán) | |
| 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人 | 中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第五十五研究所 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人 | 薛舫時(shí) |
| 地址 | 210016江蘇省南京市中山東路524號(hào) |
| 頒證日 | |
| 國(guó)際申請(qǐng) | |
| 進(jìn)入國(guó)家日期 | |
| 專(zhuān)利代理機(jī)構(gòu) | 南京天華專(zhuān)利代理有限責(zé)任公司 |
| 代理人 | 徐冬濤;瞿網(wǎng)蘭 |
| 國(guó)省代碼 | 江蘇;32 |
| 主權(quán)項(xiàng) | 一種制造重?fù)诫s氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的方法，其特征是它包括以下步驟： 首先在襯底(9)上生長(zhǎng)成核層(10)、緩沖層(11)和溝道層(12)；然后生長(zhǎng)AlN隔離層(13)和重?fù)诫sAlGaN勢(shì)壘層(14)，控制摻雜層(14)的厚度和摻雜濃度使之達(dá)到1013/cm2量級(jí)的高濃度摻雜，以增大外溝道中的電子氣密度，提高漏電流，使外溝道在射頻工作周期內(nèi)不被夾斷，同時(shí)利用高密度外溝道電子氣來(lái)平抑溝道中的電場(chǎng)峰，阻止高能熱電子隧穿到虛柵表面，抑制電流崩塌；最后在生長(zhǎng)不摻雜帽層(15)后經(jīng)臺(tái)面隔離、歐姆接觸制作后光刻?hào)烹姌O窗口，并用CF4進(jìn)行氟等離子體處理，控制等離子體發(fā)射功率在100-150W之間，處理時(shí)間在120-180s之間，以實(shí)現(xiàn)將夾斷電壓調(diào)節(jié)到設(shè)定范圍的目的，再在所開(kāi)窗口的勢(shì)壘層上自對(duì)準(zhǔn)淀積柵金屬，制作肖特基勢(shì)壘并在N2氣氛中進(jìn)行退火以消除等離子體處理產(chǎn)生的缺陷即得本發(fā)明的重?fù)诫s場(chǎng)效應(yīng)晶體管。 |
| 摘要 | 本發(fā)明針對(duì)現(xiàn)有的氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)管由于摻雜量無(wú)法提高而致使其性能不能得到改善的問(wèn)題，發(fā)明一種既能對(duì)氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)管進(jìn)行重?fù)诫s，又不會(huì)因重?fù)诫s而引起常見(jiàn)的電流崩塌現(xiàn)象，從而能顯著增大輸出功率的制造重?fù)诫s氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的方法，它包括首先在襯底9上生長(zhǎng)成核層10、緩沖層11和溝道層12；然后生長(zhǎng)AlN隔離層13和重?fù)诫sAlGaN勢(shì)壘層14，最后在生長(zhǎng)不摻雜帽層15后經(jīng)臺(tái)面隔離、歐姆接觸制作后光刻?hào)烹姌O窗口，并用CF4進(jìn)行氟等離子體處理，控制等離子體發(fā)射功率和處理時(shí)間，以實(shí)現(xiàn)將夾斷電壓調(diào)節(jié)到設(shè)定范圍的目的，再在所開(kāi)窗口的勢(shì)壘層上自對(duì)準(zhǔn)淀積柵金屬，制作肖特基勢(shì)壘并在N2氣氛中進(jìn)行退火以消除等離子體處理產(chǎn)生的缺陷即得本發(fā)明的重?fù)诫s場(chǎng)效應(yīng)晶體管。有利于增大器件的功率。 |
| 國(guó)際公布 |
