| 公開(公告)號 | CN1233652C |
| 公開(公告)日 | 2005.12.28 |
| 申請(專利)號 | CN200410014458.9 |
| 申請日期 | 2004.03.23 |
| 專利名稱 | 高純葛根素的結(jié)晶純化方法 |
| 主分類號 | C07H17/07 |
| 分類號 | C07H17/07;C07H1/06 |
| 分案原申請?zhí)? | |
| 優(yōu)先權(quán) | |
| 申請(專利權(quán))人 | 合肥工業(yè)大學(xué) |
| 發(fā)明(設(shè)計)人 | 潘 見;王華峰 |
| 地址 | 230009安徽省合肥市屯溪路193號 |
| 頒證日 | |
| 國際申請 | |
| 進(jìn)入國家日期 | |
| 專利代理機(jī)構(gòu) | 安徽省合肥新安專利代理有限責(zé)任公司 |
| 代理人 | 吳啟運;何梅生 |
| 國省代碼 | 安徽;34 |
| 主權(quán)項 | 一種高純葛根素的結(jié)晶純化方法，包括葛根素浸膏自溶液中的結(jié)晶以及晶體的分離、干燥各單元過程，其特征在于：所述的結(jié)晶是首先將葛根素浸膏溶解于溶劑中得到葛根素溶液，然后將該葛根素溶液置于磁通量密度為0.1～10特斯拉的恒定的或變化的磁場中電磁誘導(dǎo)結(jié)晶。 |
| 摘要 | 一種高純葛根素的結(jié)晶純化方法，將90％葛根素浸膏溶解在溶劑中，將該過飽和溶液置于磁通量密度為0.1～10特斯拉的恒定的或變化的磁場中進(jìn)行電磁誘導(dǎo)結(jié)晶，一次結(jié)晶純度超過95％，2～5次結(jié)晶后純度可達(dá)99.7％。本結(jié)晶方法工藝簡單，無需冷凍干燥或噴霧干燥等復(fù)雜的耗能工藝，適合制備超純的或標(biāo)準(zhǔn)的葛根素，也適合產(chǎn)業(yè)化批量生產(chǎn)。 |
| 國際公布 |
