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用于生產(chǎn)碳青霉烯化合物的方法

醫(yī)藥數(shù)據(jù)庫中心 藥學論壇 麥克公司/R·茨韋托維奇;R·溫斯羅;J·M·威廉斯;D·西德勒;L·克羅克;H·-H·董;B·K·約翰遜;J·庫庫拉二世;U·多林
公開(公告)號 CN1821248A  
公開(公告)日 2006.08.23  
申請(專利)號 CN200610004335.6  
申請日期 2002.09.20  
專利名稱 用于生產(chǎn)碳青霉烯化合物的方法  
主分類號 C07D477/20(2006.01)I  
分類號 C07D477/20(2006.01)I  
分案原申請?zhí)? 02818431.9  
優(yōu)先權 2001.9.26 US 60/325130  
申請(專利權)人 麥克公司  
發(fā)明(設計)人 R·茨韋托維奇;R·溫斯羅;J·M·威廉斯;D·西德勒;L·克羅克;H·-H·董;B·K·約翰遜;J·庫庫拉二世;U·多林  
地址 美國新澤西州  
頒證日  
國際申請  
進入國家日期  
專利代理機構 中國專利代理(香港)有限公司  
代理人 王景朝  
國省代碼 美國;US  
主權項 式IIa所示的(4R,5S,6S,8R,2′S,4′S)-3-[[2-[[3-羧基苯基]氨基]羰基]吡咯烷-4-基]硫基]-4-甲基-6-(1-羥乙基)-7-氧代-1-氮雜雙環(huán)[3.2.0]庚-2-烯-2-羧酸一鈉鹽碳青霉烯C型結晶水合物: 其特征在于其固態(tài)X射線粉末衍射XRPD圖譜具有下列d間距18.29,12.94,11.25,8.28,7.50,6.46,6.08,5.11,4.78,4.63,4.45,4.22,4.02,3.67,3.41,3.20,2.86和2.75埃。  
摘要 本發(fā)明涉及一種用于將在式I所示碳青霉烯固體或其鹽的熱不穩(wěn)定結晶中的有機溶劑的濃度降低至藥學上可接受的程度的方法,其中R1和R2相同或不同,選自H、烷基、芳基和雜芳基,該方法包括用含水的有機溶劑洗滌含有有機溶劑的碳青霉烯固體;然后使用真空和/或干燥)在低溫蒸發(fā)在洗滌過的碳青霉烯固體中的殘留有機溶劑,得到含有藥學上可接受程度的殘留有機溶劑的碳青霉烯固體結晶,其中碳青霉烯固體結晶的水含量,作殘留有機溶劑方面的校正,在該過程中保持在約13%至約25%。  
國際公布  
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