| 公開(公告)號(hào) | CN1971921A |
| 公開(公告)日 | 2007.05.30 |
| 申請(qǐng)(專利)號(hào) | CN200510126854.5 |
| 申請(qǐng)日期 | 2005.11.24 |
| 專利名稱 | 半導(dǎo)體元件與內(nèi)連線結(jié)構(gòu)及各自的制作方法 |
| 主分類號(hào) | H01L27/144(2006.01)I |
| 分類號(hào) | H01L27/144(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I |
| 分案原申請(qǐng)?zhí)? | |
| 優(yōu)先權(quán) | |
| 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 聯(lián)華電子股份有限公司 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人 | 姜元升;陳炫旭 |
| 地址 | 中國(guó)臺(tái)灣新竹科學(xué)工業(yè)園區(qū) |
| 頒證日 | |
| 國(guó)際申請(qǐng) | |
| 進(jìn)入國(guó)家日期 | |
| 專利代理機(jī)構(gòu) | 北京市柳沈律師事務(wù)所 |
| 代理人 | 陶鳳波;侯 宇 |
| 國(guó)省代碼 | 臺(tái)灣;TW |
| 主權(quán)項(xiàng) | 一種半導(dǎo)體元件，包括： 一基底，該基底具有一第一區(qū)域與一第二區(qū)域，其中該第二區(qū)域?yàn)橐还飧袦y(cè)區(qū)； 一晶體管，配置于該第一區(qū)域的該基底上； 一硬掩模層，配置于該第二區(qū)域的該基底上；以及 一抗反射層，配置于該硬掩模層與該基底之間。 |
| 摘要 | 一種半導(dǎo)體元件，此半導(dǎo)體元件包括一基底、一晶體管、一硬掩模層與一抗反射層�；拙哂械谝粎^(qū)域與第二區(qū)域，其中第二區(qū)域?yàn)楣飧袦y(cè)區(qū)。晶體管配置于第一區(qū)域的基底上。硬掩模層配置于第二區(qū)域的基底上。抗反射層配置于硬掩模層與基底之間。 |
| 國(guó)際公布 |
